机构

• 物理研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2006 [1]
• 2005 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 High-precision determination of lattice constants and structural characterization of InN thin films 期刊论文  OAI收割 journal of vacuum science & technology a, 2006, 卷号: 24, 期号: 2, 页码: 275-279 Wu MF; Zhou SQ; Vantomme A; Huang Y; Wang H; Yang H 收藏  |  浏览/下载：116/0  |  提交时间：2010/04/11 X-RAY-DIFFRACTION  BAND-GAP  EPITAXIAL LAYERS  INDIUM NITRIDE  HEXAGONAL INN  CUBIC INN  GROWTH  PARAMETERS  INGAN  PHASE   Synthesis of long indium nitride nanowires with uniform diameters in large quantities 期刊论文  OAI收割 SMALL, 2005, 卷号: 1, 期号: 10, 页码: 1004 Luo, SD; Zhou, WY; Zhang, ZX; Liu, LF; Dou, XY; Wang, JX; Zhao, XW; Liu, DF; Gao, Y; Song, L; Xiang, YJ; Zhou, JJ; Xie, SS 收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2013/09/24 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  ELECTRON-TRANSPORT  THERMAL-STABILITY  HEXAGONAL INN  BAND-GAP  GROWTH  GALLIUM  NANOTUBES  FILMS