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• 期刊论文 [13]

发表日期

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浏览/检索结果: 共13条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Ferromagnetism in cubic InN:Mn nanocrystals induced by surface Mn atoms 期刊论文  OAI收割 rsc advances, RSC ADVANCES, 2014, 2014, 卷号: 4, 4, 期号: 82, 页码: 43582-43585, 43582-43585 作者:  Meng, XQ;  Chen, ZH;  Xia, QL;  Chen, Z;  Wu, FM   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/03/25 Enhancing structural transition by carrier and quantum confinement: Stabilization of cubic InN quantum dots by Mn incorporation 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, Applied Physics Letters, 2013, 2013, 卷号: 103, 103, 期号: 25, 页码: 253102, 253102 作者:  Meng, Xiuqing;  Chen, Zhanghui;  Chen, Zhuo;  Wu, Fengmin;  Li, Shu-Shen   |  收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/05/08 Mocvd growth of a-plane inn films on r-al2o3 with different buffer layers 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Zhang, Biao;  Song, Huaping;  Wang, Jun;  Jia, Caihong;  Liu, Jianming 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  A-plane inn   MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117 作者:  Jia CH;  Song HP 收藏  |  浏览/下载：118/2  |  提交时间：2011/07/05 Anisotropy  Crystal morphology  Metalorganic chemical vapor deposition  a-Plane InN  INDIUM NITRIDE  MOVPE GROWTH  CUBIC INN  SAPPHIRE  GAN  MBE   Reactant-governing growth direction of indium nitride nanowires 期刊论文  OAI收割 Nanotechnology, 2010, 期号: 24 作者:  Shi L 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/12/13 Reactant-governing growth direction of indium nitride nanowires 期刊论文  OAI收割 NANOTECHNOLOGY, 2010, 卷号: 21, 期号: 24 Liu, H; Shi, L; Geng, X; Su, R; Cheng, G; Xie, S 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/09/24 EPITAXIAL SILICON NANOWIRES  INITIO MOLECULAR-DYNAMICS  BEAM EPITAXY  GAN  ORIENTATION  POLARITY  INN   Determination of wurtzite InN/cubic In2O3 heterojunction band offset by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 94, 期号: 22, 页码: 222114 作者:  Song, HP;  Yang, AL;  Wei, HY;  Guo, Y;  Zhang, B 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2016/06/29 conduction bands  III-V semiconductors  indium compounds  semiconductor heterojunctions  semiconductor materials  valence bands  X-ray photoelectron spectra   Determination of wurtzite InN/cubic In2O3 heterojunction band offset by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文  OAI收割 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 22, 页码: art. no. 222114 作者:  Song HP;  Wei HY;  Zhang B 收藏  |  浏览/下载：198/0  |  提交时间：2010/03/08 conduction bands  III-V semiconductors  indium compounds  semiconductor heterojunctions  semiconductor materials  valence bands  X-ray photoelectron spectra   Characterization of a-plane InN film grown on r-plane sapphire by MOCVD 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2008, 卷号: 310, 期号: 16, 页码: 3726 Zhu, XL; Guo, LW; Peng, MZ; Ge, BH; Zhang, J; Ding, GJ; Jia, HQ; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/09/17 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  FUNDAMENTAL-BAND GAP  CUBIC INN  BUFFER  MBE   Elastic and thermodynamic properties of c-BN from first-principles calculations 期刊论文  OAI收割 Chinese Physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 1, 页码: 217-222 Y. J. Hao; Y. Cheng; Y. J. Wang; X. R. Chen 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/04/13 elastic constants  thermodynamic properties  local density  approximation  c-BN  cubic boron-nitride  superconducting mgb2  zincblende bn  constants  phase  aln  gan  transition  pressure  inn