机构

• 半导体研究所 [3]
• 力学研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [3]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2012 [1]
• 1999 [3]

学科主题

• 半导体材料 [2]
• 半导体化学 [1]
• 流体力学::实验流体... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 An experimental and kinetic modeling study of cyclohexane pyrolysis at low pressure 期刊论文  OAI收割 COMBUSTION AND FLAME, 2012, 卷号: 159, 期号: 7, 页码: 2243-2253 作者:  Wang ZD;  Cheng ZJ;  Yuan WH;  Cai JH;  Zhang LD 收藏  |  浏览/下载：122/0  |  提交时间：2013/01/18 Cyclohexane pyrolysis  Synchrotron VUV photoionization mass spectrometry  Kinetic modeling  1-Hexene  Benzene formation  Photoionization Cross-Sections  Synchrotron Vuv Photoionization  Low-Temperature Oxidation  Mass-Spectrometry  Propargyl Radicals  Shock-Tube  Thermal-Decomposition  Hydrocarbon Growth  Organic-Molecules  Reaction Pathways   The growth of SiC on Si substrates with C2H4 and Si2H6 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 1999, 卷号: 148, 期号: 3-4, 页码: 189-195 Wang YS; Li JM; Lin LY; Zhang FF 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/08/12 Si  SiC  epitaxial growth  RHEED  Raman spectrum  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  HETEROEPITAXIAL GROWTH  HYDROCARBON RADICALS  SILICON  SURFACES  FILMS  LAYER  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si 会议论文  OAI收割 10th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-x), cannes, france, aug 31-sep 04, 1998 Wang YS; Li JM; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/15 HETEROEPITAXIAL GROWTH  HYDROCARBON RADICALS  SI(001) SURFACE  BEAM   The effects of carbonized buffer layer on the growth of SiC on Si 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 201, 期号: 0, 页码: 564-567 Wang YS; Li JM; Zhang FF; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 Si  SiC  carbonization  RHEED  single crystal epilayer  HYDROCARBON RADICALS  SI(001) SURFACE  BEAM  HETEROEPITAXIAL GROWTH