机构

• 金属研究所 [2]
• 高能物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2011 [1]
• 2005 [2]

学科主题

• Materials ... [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Spectroscopic ellipsometry and positron annihilation investigation of sputtered HfO2 films 期刊论文  OAI收割 THIN SOLID FILMS, 2011, 卷号: 519, 期号: 19, 页码: 6349-6353 作者:  Ma, ZW;  Liu, LX;  Xie, YZ;  Su, YR;  Zhao, HT 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2016/06/29 Hafnium dioxide  Spectroscopic ellipsometry  Positron annihilation spectroscopy  Open volume defects  Sputtering   Pulsed laser deposition of aluminate YAlO3 and LaAlO3 thin films for alternative gate dielectric applications 期刊论文  OAI收割 Applied Physics a-Materials Science & Processing, 2005, 卷号: 80, 期号: 8, 页码: 1775-1779 J. M. Liu; G. H. Shi; L. C. Yu; T. L. Li; Z. G. Liu; J. Y. Dai 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/05/17 hafnium oxide  si  stability  silicon  transition  dioxide  devices  hfo2   Pulsed laser deposition of aluminate YAlO3 and LaAlO3 thin films for alternative gate dielectric applications 期刊论文  OAI收割 Applied Physics a-Materials Science & Processing, 2005, 卷号: 80, 期号: 8, 页码: 1775-1779 J. M. Liu; G. H. Shi; L. C. Yu; T. L. Li; Z. G. Liu; J. Y. Dai 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2012/04/14 hafnium oxide  si  stability  silicon  transition  dioxide  devices  hfo2