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机构
半导体研究所 [2]
金属研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2011 [1]
2010 [2]
学科主题
光电子学 [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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Ultraviolet electroluminescence from ZnO-based light-emitting diode with p-ZnO:N/n-GaN:Si heterojunction structure
期刊论文
OAI收割
Journal of Luminescence, 2011, 卷号: 131, 期号: 4, 页码: 825-828
J. C. Sun
;
Q. J. Feng
;
J. M. Bian
;
D. Q. Yu
;
M. K. Li
;
C. R. Li
;
H. W. Liang
;
J. Z. Zhao
;
H. Qiu
;
G. T. Du
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2012/04/13
p-ZnO:N/n-GaN:Si hererojunction
LED
UV electroluminescence
MOCVD
chemical-vapor-deposition
zinc-oxide
n-zno
nitrogen
films
fabrication
substrate
Normal incidence p-i-n ge heterojunction photodiodes on si substrate grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
期刊论文
iSwitch采集
Optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 18, 页码: 3404-3407
作者:
Zhou, Zhiwen
;
He, Jingkai
;
Wang, Ruichun
;
Li, Cheng
;
Yu, Jinzhong
收藏
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2019/05/12
Germanium
Hererojunction
Photodiode
Tensile strain
Normal incidence p-i-n Ge heterojunction photodiodes on Si substrate grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition
期刊论文
OAI收割
optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 18, 页码: 3404-3407
Zhou ZW (Zhou Zhiwen)
;
He JK (He Jingkai)
;
Wang RC (Wang Ruichun)
;
Li C (Li Cheng)
;
Yu JZ (Yu Jinzhong)
收藏
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浏览/下载:93/0
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提交时间:2010/08/17
Germanium
Hererojunction
Photodiode
Tensile strain