中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
大连化学物理研究所 [1]
中国科学院大学 [1]
上海硅酸盐研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2017 [1]
2016 [2]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Growth of Hexagonal AlN Crystalline Microrod by Physical Vapor Transport Method
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2017, 卷号: 32, 期号: 2, 页码: 215-218
作者:
Wang Hua-Jie
;
Liu Xue-Chao
;
Kong Hai-Kuan
;
Xin Jun
;
Gao Pan
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2017/05/05
III-V semiconductors
aluminum nitride
hexagonal microrod
physical vapor transport
Deep UV resonance Raman spectroscopic study on electron-phonon coupling in hexagonal III-nitride wide bandgap semiconductors
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF RAMAN SPECTROSCOPY, 2016, 卷号: 47, 期号: 8, 页码: 884-887
作者:
Feng, Zhaochi
;
Li, Can
;
Jin, Shaoqing
;
Zhang, Ying
;
Fan, Fengtao
  |  
收藏
  |  
浏览/下载:19/0
  |  
提交时间:2019/06/20
Deep Uv
Resonance Raman
Hexagonal Iii-nitride
Wide Bandgap Semiconductors
Electron-phonon Coupling
Deep uv resonance raman spectroscopic study on electron-phonon coupling in hexagonal iii-nitride wide bandgap semiconductors
期刊论文
iSwitch采集
Journal of raman spectroscopy, 2016, 卷号: 47, 期号: 8, 页码: 884-887
作者:
Jin, Shaoqing
;
Zhang, Ying
;
Fan, Fengtao
;
Feng, Zhaochi
;
Li, Can
收藏
  |  
浏览/下载:39/0
  |  
提交时间:2019/05/09
Deep uv
Resonance raman
Hexagonal iii-nitride
Wide bandgap semiconductors
Electron-phonon coupling