机构

• 上海微系统与信息技术... [1]
• 半导体研究所 [1]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2009 [1]
• 2006 [2]

学科主题

• Physics, M... [1]
• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Composite-Collector InGaAs/InP Double Heterostructure Bipolar Transistors with Current-Gain Cutoff Frequency of 242 GHz 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 38502-38502 Cheng, W; Jin, Z; Su, YB; Liu, XY; Xu, AH; Qi, M 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2012/03/24 HIGH-BREAKDOWN-VOLTAGE  DHBT TECHNOLOGY  F(MAX)   Experimental study of the high-voltage breakdown and simulations for the RFQ cooler and buncher RFQ1L 期刊论文  OAI收割 HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2006, 卷号: 30, 期号: Suppl. 2, 页码: 261-264 作者:  Huang Wen-Xue;  Wang Yue;  Zhu Zhi-Chao;  Tian Yu-Lin;  Xu Hu-Shan   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/10/29 Rfq Cooler And Buncher  Super Heavy  High-voltage Breakdown  Simulation   Influence of Al content on electrical and structural properties of Si-doped AlxGa1-xN/GaN HEMT structures 会议论文  OAI收割 32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005 Wang, CM; Wang, XL; Hu, GX; Wang, JX; Li, JP 收藏  |  浏览/下载：127/30  |  提交时间：2010/03/29 HIGH BREAKDOWN VOLTAGE  MOBILITY TRANSISTORS  HETEROSTRUCTURES  SAPPHIRE  GANHEMTS