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机构
上海微系统与信息技术... [1]
半导体研究所 [1]
近代物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [1]
2006 [2]
学科主题
Physics, M... [1]
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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Composite-Collector InGaAs/InP Double Heterostructure Bipolar Transistors with Current-Gain Cutoff Frequency of 242 GHz
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2009, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 38502-38502
Cheng, W
;
Jin, Z
;
Su, YB
;
Liu, XY
;
Xu, AH
;
Qi, M
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提交时间:2012/03/24
HIGH-BREAKDOWN-VOLTAGE
DHBT TECHNOLOGY
F(MAX)
Experimental study of the high-voltage breakdown and simulations for the RFQ cooler and buncher RFQ1L
期刊论文
OAI收割
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2006, 卷号: 30, 期号: Suppl. 2, 页码: 261-264
作者:
Huang Wen-Xue
;
Wang Yue
;
Zhu Zhi-Chao
;
Tian Yu-Lin
;
Xu Hu-Shan
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提交时间:2010/10/29
Rfq Cooler And Buncher
Super Heavy
High-voltage Breakdown
Simulation
Influence of Al content on electrical and structural properties of Si-doped AlxGa1-xN/GaN HEMT structures
会议论文
OAI收割
32nd international symposium on compound semiconductors, rust, germany, sep 18-22, 2005
Wang, CM
;
Wang, XL
;
Hu, GX
;
Wang, JX
;
Li, JP
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提交时间:2010/03/29
HIGH BREAKDOWN VOLTAGE
MOBILITY TRANSISTORS
HETEROSTRUCTURES
SAPPHIRE
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