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苏州纳米技术与纳米仿... [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
会议论文 [1]
期刊论文 [1]
发表日期
2015 [1]
2009 [1]
学科主题
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共2条,第1-2条
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Progress in bulk GaN growth
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 16
作者:
Xu, K(徐科)
;
Wang, JF(王建峰)
;
Ren, GQ(任国强)
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2015/12/31
nitride semiconductor
bulk GaN
hydride vapor phase epitaxy (HVPE)
dislocation
High-resolution X-ray diffraction analysis on HVPE-grown thick GaN layers
会议论文
OAI收割
2nd International Symposium on Growth of III Nitrides (ISGN-2), Laforet Shuzenji, JAPAN, JUL 07-09, 2008
作者:
Hu XJ (胡晓剑)
;
Xu K (徐科)
;
Yang H (杨辉)
;
Wang JF (王建峰)
;
Xu Y (徐俞)
收藏
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浏览/下载:225/38
  |  
提交时间:2011/03/14
High-resolution X-ray diffraction (HR-XRD)
Kaganer model
Modified Kaganer model
Mosaic model
Threading dislocation density
Hydride vapor phase epitaxy (HVPE)