中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
首页
机构
成果
学者
登录
注册
登陆
×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
×
校外用户登录
CAS IR Grid
机构
物理研究所 [1]
金属研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2004 [1]
1997 [1]
学科主题
筛选
浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
帮助
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
题名升序
题名降序
提交时间升序
提交时间降序
作者升序
作者降序
发表日期升序
发表日期降序
Direct observation of electron-beam-induced nucleation and growth in amorphous GaAs
期刊论文
OAI收割
Materials Science in Semiconductor Processing, 2004, 卷号: 7, 期号: 1-2, 页码: 19-25
Z. C. Li
;
H. Zhang
;
Y. B. Xu
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2012/04/14
amorphous GaAs
electron beam irradiation
crystallization
electron
microscopy
induced epitaxial regrowth
silicon
crystallization
ge
irradiation
kinetics
si
amorphization
cazrti2o7
damage
Low energy electron-beam-induced recrystallization of continuous GaAs amorphous foils
期刊论文
OAI收割
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 1997, 卷号: 49, 期号: 1, 页码: 5
Yang, XX
;
Wang, RH
;
Yan, HP
;
Zhang, Z
收藏
  |  
浏览/下载:30/0
  |  
提交时间:2013/09/18
INDUCED EPITAXIAL CRYSTALLIZATION
SOLID-PHASE EPITAXY
ROOM-TEMPERATURE
ION IRRADIATION
SILICON
REGROWTH
SI
SEMICONDUCTORS
AMORPHIZATION
MICROSCOPE