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物理研究所 [2]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2007 [1]
2006 [1]
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Room temperature photoluminescence evaluation of In0.29Al0.7As/In0.3Ga0.7As/GaAsmetamorphic high electron mobility transistor structures
期刊论文
OAI收割
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2007, 卷号: 51, 期号: 1, 页码: 85
Shang, XZ
;
Wu, J
;
Wang, WC
;
Wang, WX
;
Huang, Q
;
Zhou, JM
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提交时间:2013/09/24
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
BUFFER LAYERS
GAAS SUBSTRATE
STRAIN RELAXATION
INVERSE STEPS
GROWTH
HETEROSTRUCTURES
DENSITY
HEMT
Low temperature step-graded InAlAs/GaAs metamorphic buner layers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2006, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1800
Shang, XZ
;
Wu, SD
;
Liu, C
;
Wang, WX
;
Guo, LW
;
Huang, Q
;
Zhou, JM
收藏
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浏览/下载:25/0
  |  
提交时间:2013/09/18
X-RAY-DIFFRACTION
BUFFER LAYERS
STRAIN RELAXATION
SURFACE-MORPHOLOGY
GAAS SUBSTRATE
INVERSE STEPS
HETEROSTRUCTURES
MODULATION
TRANSISTORS