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短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究 学位论文  OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:  
宁锦华
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硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响 期刊论文  OAI收割
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 4,729-732
作者:  
万里兮;  吕垚;  李宝霞
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GaAs的ICP选择刻蚀研究 期刊论文  OAI收割
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 4,174-177
作者:  
刘训春;  王惟林
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