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机构
微电子研究所 [2]
上海技术物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [2]
学位论文 [1]
发表日期
2009 [2]
2000 [1]
学科主题
红外探测材料与器件 [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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短波红外InGaAs探测器的台面成型技术研究
学位论文
OAI收割
: 中国科学院研究生院, 2009
作者:
宁锦华
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硅深槽ICP刻蚀中刻蚀条件对形貌的影响
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2009, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 4,729-732
作者:
万里兮
;
吕垚
;
李宝霞
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GaAs的ICP选择刻蚀研究
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 3, 页码: 4,174-177
作者:
刘训春
;
王惟林
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