机构

• 半导体研究所 [2]
• 新疆理化技术研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2015 [1]
• 2000 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序 Photoluminescence spectra of 1 MeV electron beam irradiated In0.53Ga0.47As/InP quantum well and bulk materials 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2015, 卷号: 64, 期号: 15, 页码: 252-258 作者:  Ma, LY (Ma Li-Ya);  Li, YD (Li Yu-Dong);  Guo, Q (Guo Qi);  Ai, EK (Ai Er-Ken);  Wang, HJ (Wang Hai-Jiao)   |  收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2018/01/25 In0.53ga0.47as/inp  Quantum Well  Electron Beam Irradiation  Photoluminescence   The structural and photoluminescence properties of self-organized quantum dots in inas/in0.53ga0.47as multilayer on inp substrate 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 360-363 作者:  Sun, ZZ;  Wu, J;  Lin, F;  Liu, FQ;  Chen, YH 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-organized quantum dots  Inas/in0.53ga0.47as multilayer  Inp substrate  Mbe   The structural and photoluminescence properties of self-organized quantum dots in InAs/In0.53Ga0.47As multilayer on InP substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 360-363 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2010/08/12 self-organized quantum dots  InAs/In0.53Ga0.47As multilayer  InP substrate  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  INAS ISLANDS  GROWTH  MATRIX  GAAS