机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2005 [1]
• 2004 [1]
• 2003 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Crack-free gan/si(111) epitaxial layers grown with inalgan alloy as compliant interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2005, 卷号: 279, 期号: 3-4, 页码: 335-340 作者:  Wu, JJ;  Han, XX;  Li, JM;  Li, DB;  Lu, Y 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Cracks  (111) substrate  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan  Inalgan buffer   Crack-free inalgan quaternary alloy films grown on si(111) substrate by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2004, 卷号: 273, 期号: 1-2, 页码: 79-85 作者:  Wu, JJ;  Li, DB;  Lu, Y;  Han, XX;  Li, JM 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2019/05/12 Cracks  Si(111) substrate  Stresses  Metalorganic chemical vapor deposition  Gan  Inalgan   Structural and optical properties of InAlGaN films grown directly on low-temperature buffer layer with (0001)sapphire substrate 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 249, 期号: 1-2, 页码: 72-77 作者:  Li DB 收藏  |  浏览/下载：73/0  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  stretched exponential  time-resolved photolummescence  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  InAlGaN  INXALYGA1-X-YN QUATERNARY ALLOYS  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  ALINGAN/GAN HETEROSTRUCTURES  GAN  DECAY  LUMINESCENCE  SAPPHIRE  DEVICES  SILICON