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浏览/检索结果: 共708条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序发表日期升序发表日期降序题名升序题名降序作者升序作者降序 Wavelength-tunable InAsP quantum dots in InP nanowires 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 115, 期号: 5, 页码: - 作者:  Zhong, ZQ;  Li, XL;  Wu, J;  Li, C;  Xie, RB   |  收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/10/16 SINGLE NANOWIRE  GROWTH  PHOTODETECTORS  ENHANCEMENT  MORPHOLOGY   MOVPE-Growth of InGaSb/AlP/GaP(001) Quantum Dots for Nanoscale Memory Applications 期刊论文  OAI收割 Physica Status Solidi B-Basic Solid State Physics, 2018, 卷号: 255, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Sala, E. M.;  Arikan, I. F.;  Bonato, L.;  Bertram, F.;  Veit, P.   |  收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/09/17 AlP barrier  GaP  InGaSb  MOVPE growth  nanoscale memory  quantum dots  hole localization  ohmic contacts  luminescence  resistance  Physics   Photoconductivity of InN grown by MOVPE: Low temperature and weak light illumination 期刊论文  OAI收割 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2017, 卷号: 110, 期号: 4 作者:  Kang TT;  Zhang YH;  Chen PP;  Wang ZH;  Yamamoto A   |  收藏  |  浏览/下载：51/0  |  提交时间：2018/11/20 NEGATIVE PHOTOCONDUCTIVITY  INDIUM NITRIDE   Abnormal InGaN growth behavior in indium-desorption regime in metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 409, 期号: 0, 页码: 51-55 作者:  Zhou, K(周堃);  Ikeda, M;  Liu, JP(刘建平);  Zhang, SM(张书明);  Li, ZC(李增成) 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2015/02/03 Growth models  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Influence of substrate surface defects on the homoepitaxial growth of GaN (0001) by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015, 卷号: 416, 页码: 7 作者:  Zhou, K(周堃);  Liu, JP(刘建平);  Ikeda, M;  Zhang, SM(张书明);  Li, DY(李德尧) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2015/12/31 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Growth condition optimization and mobility enhancement through prolonging the GaN nuclei coalescence process of AlGaN/AlN/GaN structure 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2015, 卷号: 24, 期号: 9, 页码: 4 作者:  He, XG;  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Chen, P 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2015/12/31 high electron mobility transistor  two-dimensional electron gas  GaN   High performance 2150 nm-emitting InAs/InGaAs/InP quantum well lasers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 optics express, 2015, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 8383-8388 S. Luo; H.M. Ji; F. Gao; F. Xu; X.G. Yang; P. Liang; T. Yang 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/03/22 Unintentionally doped semi-insulating GaN with a low dislocation density grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2014, 卷号: 32, 期号: 5 作者:  Yang H(杨辉);  Zhang SM(张书明) 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2014/12/01 GAN/SAPPHIRE INTERFACE  ELECTRON-TRANSPORT  CARBON  LAYER  FE   Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 371, 期号: 0, 页码: 7-10 作者:  Li, DY(李德尧);  Zhang, SM(张书明);  Liu, JP(刘建平);  Zhang, LQ(张立群);  Yang, H(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2014/01/13 Surface structure  Metalorganic vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting III-V materials   Hillock formation and suppression on c-plane homoepitaxial GaN Layers grown by metalorganic vapor phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2013, 卷号: 371, 页码: 7-10 Zhou, Kun; Liu, Jianping; Zhang, Shuming; Li, Zengcheng; Feng, Meixin; Li, Deyao; Zhang, Liqun; Wang, Feng; Zhu, Jianjun; Yang, Hui 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2013/08/27