机构

• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]
• 福建物质结构研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2012 [1]
• 2010 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Enhancement-Mode InAlN/GaN MISHEMT with Low Gate Leakage Current 期刊论文  OAI收割 Journal of Semiconductors, 2012, 卷号: 33, 期号: 6 作者:  Zhang BS(张宝顺);  Cai Y(蔡勇);  Ceng CH(曾春红) 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2013/01/22 enhancement-mode  InAlN/GaN HEMT  threshold voltage  thermal oxidation  gate leakage   Band gap energy and bowing parameter of In-rich InAlN films grown by magnetron sputtering 期刊论文  OAI收割 Applied Surface Science, 2010, 卷号: 256, 期号: 6, 页码: 1812-1816 H. He, Y. G. Cao, R. L. Fu, W. Guo, Z. Huang, M. L. Wang, C. G. Huang, J. Q. Huang and H. Wang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/11/02 semiconducting III-V materials  InAlN  optical properties  magnetron  sputtering  optical-properties  electronic-structure  absorption-edge  mbe-growth  thin-films  alxin1-xn  sapphire  epitaxy