机构

• 微电子研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 学位论文 [1]
• 期刊论文 [1]

发表日期

• 2017 [1]
• 2007 [1]

学科主题

• 半导体器件 [1]
• 微电子学 [1]

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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Si基高迁移率InGaAs沟道MOSFET器件研究 学位论文  OAI收割 博士, 北京: 中国科学院研究生院, 2017 孔祥挺 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2017/06/05 InGaAs沟道  高迁移率  MOSFET  Ge/Si衬底   一种InGaAs／InP复合沟道高电子迁移率晶体管模拟的新方法 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 11, 页码: 6,1706_1711 作者:  刘训春;  刘亮;  张海英;  尹军舰;  李潇   |  收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2010/05/26 Inp ingaas／Inp 复合沟道  高电子迁移率晶体  模拟