机构

• 半导体研究所 [4]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2008 [2]
• 2006 [1]
• 2004 [1]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Improvement of the performance of gan-based leds grown on sapphire substrates patterned by wet and icp etching 期刊论文  iSwitch采集 Solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 962-967 作者:  Gao, Haiyong;  Yan, Fawang;  Zhang, Yang;  Li, Jinmin;  Zeng, Yiping 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2019/05/12 Ingan/gan multiple quantum wells  Light-emitting diode  Wet etching  Inductively coupled plasma etching   Improvement of the performance of GaN-based LEDs grown on sapphire substrates patterned by wet and ICP etching 期刊论文  OAI收割 solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 962-967 Gao, HY; Yan, FW; Zhang, Y; Li, JM; Zeng, YP; Wang, GH 收藏  |  浏览/下载：69/4  |  提交时间：2010/03/08 InGaN/GaN multiple quantum wells  light-emitting diode  wet etching  inductively coupled plasma etching   Structural characterization of AlGaN/GaN superlattices by x-ray diffraction and Rutherford backscattering 期刊论文  OAI收割 superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 137-143 Zhou SQ (Zhou Shengqiang); Wu MF (Wu M. F.); Yao SD (Yao S. D.); Zhang BS (Zhang B. S.); Yang H (Yang H.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/04/11 nitride semiconductors  superlattice  Rutherford backscattering/channeling  transmission electron microscopy  x-ray diffraction  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  OPTICAL-PROPERTIES  INGAN/GAN  STRAIN  INTERFACE  GROWTH  GAN   Effect of the ratio of tmin flow to group iii flow on the properties of ingan/gan multiple quantum wells 期刊论文  iSwitch采集 Acta physica sinica, 2004, 卷号: 53, 期号: 8, 页码: 2467-2471 作者:  Zhang, JC;  Wang, JF;  Wang, YT;  Hui, Y 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/05/12 Triple-axis x-ray diffraction  Interface roughness  Dislocation density  Ingan/gan multiple quantum wells