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机构
长春光学精密机械与物... [1]
半导体研究所 [1]
西安光学精密机械研究... [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2018 [1]
2011 [1]
2009 [1]
学科主题
光电子学 [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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Investigation on ideality factor of 2 μm InGaSb/AlGaAsSb quantum well laser
期刊论文
OAI收割
Infrared and Laser Engineering, 2018, 卷号: 47, 期号: 5
作者:
Li Xiang
;
Wang Hong
;
Qiao Zhongliang
;
Zhang Yu
;
Xu Yingqiang
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提交时间:2019/09/17
Gallium compounds
Antimony compounds
III-V semiconductors
Indium antimonides
Quantum well lasers
Semiconductor lasers
Semiconductor quantum wells
Molecular beam epitaxy growth of InGaSb/AlGaAsSb strained quantum well diode lasers
期刊论文
OAI收割
journal of semiconductors, Journal of Semiconductors, 2011, 2011, 卷号: 32, 32, 期号: 10, 页码: 103002, 103002
作者:
Zhang, Yu
;
Wang, Guowei
;
Tang, Bao
;
Xu, Yingqiang
;
Xu, Yun
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2012/06/14
Buffer layers
Epitaxial growth
Gallium alloys
Indium antimonides
Molecular beam epitaxy
Molecular beams
Optical waveguides
Optimization
Semiconducting gallium arsenide
Semiconductor quantum wells
Tellurium
Tellurium compounds
Buffer Layers
Epitaxial Growth
Gallium Alloys
Indium Antimonides
Molecular Beam Epitaxy
Molecular Beams
Optical Waveguides
Optimization
Semiconducting Gallium Arsenide
Semiconductor Quantum Wells
Tellurium
Tellurium Compounds
Growth and characterization of InAsSb alloys by metalorganic chemical vapour deposition
期刊论文
OAI收割
chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 1, 页码: 320-323
作者:
Yan Jun-Feng
;
Wang Tao
;
Wang Jing-Wei
;
Zhang Zhi-Yong
;
Zhao Wu
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浏览/下载:214/7
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提交时间:2010/01/12
metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD)
antimonides
semiconducting indium compounds