机构

• 半导体研究所 [2]
• 微电子研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [2]
• 学位论文 [1]

发表日期

• 2016 [1]
• 2007 [1]
• 1999 [1]

学科主题

• 半导体器件 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 InP基雪崩光电二极管结构设计与关键工艺研究 学位论文  OAI收割 硕士, 北京: 中国科学院研究生院, 2016 李慧梅 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2016/06/02 InGaAs/InP APD  InGaAs/InAlAs APD  增益  暗电流  击穿电压  扩散Zn掺杂   截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管 期刊论文  OAI收割 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 4,1864_1867 作者:  徐静波;  刘亮;  张海英;  尹军舰;  刘训春   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/05/26 截止频率  高电子迁移率晶体管  Ingaas/inalas Inp   Self-assembled InAs and In0.9Al0.1As quantum dots on (001)InP substrates grown by molecular beam epitaxy (MBE) 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1999, 卷号: 204, 期号: 1-2, 页码: 24-28 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 self-assembled quantum dots  In0.9Al0.1As/InAlAs/InP  molecular beam epitaxy  VISIBLE LUMINESCENCE  ISLANDS  PHOTOLUMINESCENCE  INP  ENSEMBLES  INP(001)  INGAAS  GAAS  RADIATIVE RECOMBINATION