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半导体研究所 [2]
物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2001 [2]
1998 [1]
学科主题
半导体材料 [1]
筛选
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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Indium doping effect on gan in the initial growth stage
期刊论文
iSwitch采集
Journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979
作者:
Yuan, HR
;
Lu, DC
;
Liu, XL
;
Chen, Z
;
Wang, XH
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
Gan
Indium doping
Initial growth stage
Morphology
Optical transmission
Photoluminescence
Indium doping effect on GaN in the initial growth stage
期刊论文
OAI收割
journal of electronic materials, 2001, 卷号: 30, 期号: 8, 页码: 977-979
作者:
Han PD
收藏
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浏览/下载:164/29
  |  
提交时间:2010/08/12
GaN
indium doping
initial growth stage
morphology
optical transmission
photoluminescence
VAPOR-PHASE EPITAXY
BUFFER LAYER
FILMS
SAPPHIRE
DEPOSITION
Phase formation sequence induced by deposition temperatures in Nb/Si multilayers
期刊论文
OAI收割
JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH, 1998, 卷号: 13, 期号: 5, 页码: 1373
Zhang, M
;
Wang, WK
收藏
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浏览/下载:36/0
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提交时间:2013/09/24
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