机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2006 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The effect of be-doping structure in negative electron affinity gaas photocathodes on integrated photosensitivity 期刊论文  iSwitch采集 Applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 12, 页码: 4104-4109 作者:  Wang, XF;  Zeng, YP;  Wang, BQ;  Zhu, ZP;  Du, XQ 收藏  |  浏览/下载：30/0  |  提交时间：2019/05/12 Structure  Nea  Integrated photosensitivity  Gaas  Cs : o   The effect of Be-doping structure in negative electron affinity GaAs photocathodes on integrated photosensitivity 期刊论文  OAI收割 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 12, 页码: 4104-4109 Wang XF; Zeng YP; Wang BQ; Zhu ZP; Du XQ; Li M; Chang BK 收藏  |  浏览/下载：58/0  |  提交时间：2010/04/11 structure  NEA  integrated photosensitivity  GaAs  Cs : O  SPECTRAL RESPONSE  NEA PHOTOCATHODES  LAYER THICKNESS  CS  SURFACE  PHOTOEMISSION  SYSTEM