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机构
半导体研究所 [2]
上海应用物理研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2020 [1]
2011 [2]
学科主题
半导体材料 [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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In situ GISAXS study on the temperature-dependent performance of multilayer monochromators from the liquid nitrogen cooling temperature to 600 degrees C
期刊论文
OAI收割
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 卷号: 508, 页码: -
作者:
Jiang, H
;
Hua, WQ
;
Tian, NX
;
Li, AG
;
Li, XH
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2021/09/06
X-RAY REFLECTION
SILICON MONOCHROMATOR
ROUGHNESS
INTERFACE
GROWTH
SCATTERING
MIRRORS
A theoretical calculation of the impact of gan cap and alxga1-xn barrier thickness fluctuations on two-dimensional electron gas in a gan/alxga1-xn/gan heterostructure
期刊论文
iSwitch采集
Ieee transactions on electron devices, 2011, 卷号: 58, 期号: 12, 页码: 4272-4275
作者:
Liu, Guipeng
;
Wu, Ju
;
Lu, Yanwu
;
Zhang, Biao
;
Li, Chengming
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2019/05/12
Cap-thickness-fluctuation (ctf) and barrierthickness fluctuation (btf) scattering
Interface roughness scattering
Two dimensional electron gas (2deg)
Electron mobility in modulation-doped AlSb/InAs quantum wells
期刊论文
OAI收割
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.73703
作者:
Zhang Y
;
Li YB
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浏览/下载:62/5
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提交时间:2011/07/05
ACOUSTIC-PHONON-SCATTERING
LOW-POWER APPLICATIONS
TRANSPORT-PROPERTIES
INTERFACE ROUGHNESS
INAS/ALSB HEMTS
HETEROSTRUCTURES
INAS
TRANSISTORS
GAS
LAYERS