机构

• 上海光学精密机械研究... [4]
• 半导体研究所 [3]
• 福建物质结构研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [8]

内容类型

• 期刊论文 [8]

发表日期

• 2014 [4]
• 2007 [1]
• 2002 [2]
• 2001 [1]

学科主题

• 半导体材料 [3]

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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Energy transfer mechanism in Er3+ doped fluoride glass sensitized by Tm3+ or Ho3+ for 2.7-mu m emission 期刊论文  OAI收割 chin. opt. lett., 2014, 卷号: 12, 期号: 5, 页码: 51601 作者:  Huang, Feifei;  Liu, Xueqiang;  Li, Weiwei;  Hu, Lili;  Chen, Danping 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/11/28 2.7 MU-M  M LASER MATERIALS  FIBER LASER  SPECTRAL PROPERTIES  DIODE  RANGE  IONS   Energy transfer mechanism in Er3+ doped fluoride glass sensitized by Tm3+ or Ho3+ for 2.7-mu m emission 期刊论文  OAI收割 chin. opt. lett., 2014, 卷号: 12, 期号: 5, 页码: 51601 作者:  Huang, Feifei;  Liu, Xueqiang;  Li, Weiwei;  Hu, Lili;  Chen, Danping 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/11/28 2.7 MU-M  M LASER MATERIALS  FIBER LASER  SPECTRAL PROPERTIES  DIODE  RANGE  IONS   Spectroscopic properties and energy transfer parameters of Er3+- doped fluorozirconate and oxyfluoroaluminate glasses 期刊论文  OAI收割 sci rep, 2014, 卷号: 4, 页码: 5053 作者:  Huang, Feifei;  Liu, Xueqiang;  Hu, Lili;  Chen, Danping 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2016/11/28 2.7 MU-M  TELLURITE GLASSES  M EMISSION  FLUOROPHOSPHATE GLASS  OPTICAL-PROPERTIES  FLUORIDE GLASSES  FIBER AMPLIFIERS  LASER MATERIALS  S GLASSES  LUMINESCENCE   Spectroscopic properties and energy transfer parameters of Er3+- doped fluorozirconate and oxyfluoroaluminate glasses 期刊论文  OAI收割 sci rep, 2014, 卷号: 4, 页码: 5053 作者:  Huang, Feifei;  Liu, Xueqiang;  Hu, Lili;  Chen, Danping 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2016/11/28 2.7 MU-M  TELLURITE GLASSES  M EMISSION  FLUOROPHOSPHATE GLASS  OPTICAL-PROPERTIES  FLUORIDE GLASSES  FIBER AMPLIFIERS  LASER MATERIALS  S GLASSES  LUMINESCENCE   Growth and spectroscopic properties of Nd3+ : BaLaLiWO6 crystal 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2007, 卷号: 299, 期号: 1, 页码: 223-226 D. Zhao; Z. B. Lin; L. Z. Zhang; G. F. Wang 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2013/04/01 optical microscopy  growth from melt  tungstates  solid-state laser  materials  m laser characteristics  mu-m  spectral parameters  nd3+-kla(wo4)(2)  crystal  nd3+ ion   Effect of InAlAs/InGaAs cap layer on optical properties of self-assembled InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 241, 期号: 3, 页码: 304-308 作者:  Xu B;  Li CM;  Jin P;  Ye XL;  Li DB 收藏  |  浏览/下载：106/0  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  THRESHOLD CURRENT  MU-M  LASERS   Influence of combined InAlAs and InGaAs strain-reducing laser on luminescence properties of InAs/GaAs quantum dots 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 2-3, 页码: 354-358 作者:  Xu B;  Jiang DS;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：98/7  |  提交时间：2010/08/12 nanostructures  molecular beam epitaxy  semiconductor III-V materials  laser diodes  1.3 MU-M  CONTINUOUS-WAVE OPERATION  TEMPERATURE-DEPENDENCE  LASING CHARACTERISTICS  1.3-MU-M  PHOTOLUMINESCENCE  GAIN   Effect of InxGa1-xAs (0 <= x <= 0.4) capping layer on self-assembled 1.3 mu m wavelength InAs/GaAs quantum islands 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 3, 页码: 363-368 Wang XD; Niu ZC; Feng SL; Miao ZH 收藏  |  浏览/下载：102/3  |  提交时间：2010/08/12 atomic force microscopy  low dimensional structures  optical microscopy  molecular beam epitaxy  nanomaterials  semiconducting III-V materials  laser diodes  TEMPERATURE-DEPENDENCE  M PHOTOLUMINESCENCE  INGAAS OVERGROWTH  GAAS  DOTS  EMISSION  ENERGY  LASER