机构

• 金属研究所 [2]
• 上海应用物理研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]
• 兰州化学物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [5]

内容类型

• 期刊论文 [4]
• 会议论文 [1]

发表日期

• 2020 [1]
• 2019 [2]
• 2018 [1]
• 2004 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 材料科学与物理化学 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Interfaces between MoOx and MoX2 (X = S, Se, and Te) 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, 2020, 卷号: 29, 期号: 11, 页码: - 作者:  Chen, FM;  Liu, JX;  Zheng, XM;  Liu, LH;  Xie, HP   |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2021/09/06 FIELD-EFFECT TRANSISTORS  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  EPITAXIAL-GROWTH  MONOLAYER MOS2  TRANSPORT-PROPERTIES  ELECTRONIC-STRUCTURES  GRAPHENE NANORIBBONS  LARGE-AREA  NANORODS  CARBON   High performance hybrid supercapacitor based on hierarchical MoS2/Ni3S2 metal chalcogenide 期刊论文  OAI收割 CHINESE CHEMICAL LETTERS, 2019, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 1105-1110 作者:  Liu Ying;  Zhao Depeng;  Liu Hengqi;  Umar Ahmad;  Wu Xiang   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2021/02/02 FACILE HYDROTHERMAL SYNTHESIS  NANOWIRE ARRAYS  NICKEL FOAM  ELECTRODES  GRAPHENE  NI3S2  NANOSHEETS  CONSTRUCTION  NANOSPHERES  COMPOSITE  MoS2/Ni3S2  3D hierarchical structures  Hybrid supercapacitor  Energy storage device  Cycle stability   High performance hybrid supercapacitor based on hierarchical MoS2/Ni3S2 metal chalcogenide 期刊论文  OAI收割 CHINESE CHEMICAL LETTERS, 2019, 卷号: 30, 期号: 5, 页码: 1105-1110 作者:  Liu Ying;  Zhao Depeng;  Liu Hengqi;  Umar Ahmad;  Wu Xiang   |  收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2021/02/02 FACILE HYDROTHERMAL SYNTHESIS  NANOWIRE ARRAYS  NICKEL FOAM  ELECTRODES  GRAPHENE  NI3S2  NANOSHEETS  CONSTRUCTION  NANOSPHERES  COMPOSITE  MoS2/Ni3S2  3D hierarchical structures  Hybrid supercapacitor  Energy storage device  Cycle stability   How Vertical Compression Triggers Lateral Interlayer Slide for Metallic Molybdenum Disulfide? 期刊论文  OAI收割 Tribology Letters, 2018, 卷号: 66, 期号: 1, 页码: 21(1-8) 作者:  Sun JH(孙军辉);  Zhang, Yanning;  Feng, Yanqing;  Lu ZB(鲁志斌);  Xue QJ(薛群基)   |  收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2018/06/11 Mos2  Layered Structures  Vertical Compression  Interfacial Shear  Structural Transitions  First-principles Calculations   Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces 会议论文  OAI收割 7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004 Sun, GS; Ning, J; Zhang, YX; Gao, X; Wang, L; Zhao, WS; Zeng, YP; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：221/60  |  提交时间：2010/03/29 4H-SiC  LPCVD homoepitaxial growth  thermal oxidization  MOS structures  HOT-WALL CVD