机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 1998 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The growth of an algan/gan modulation-doped heterostructure by nh3 source molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 93-96 作者:  Zhang, JP;  Sun, DZ;  Li, XB;  Wang, XL;  Fu, RH 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Gan  2deg  Md heterostructure  Mbe  Photoluminescence   The growth of an AlGaN/GaN modulation-doped heterostructure by NH3 source molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 1998, 卷号: 192, 期号: 1-2, 页码: 93-96 Zhang JP; Sun DZ; Li XB; Wang XL; Fu RH; Kong MY 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 GaN  2DEG  MD heterostructure  MBE  photoluminescence  GAN  LUMINESCENCE  PLASMA  GALLIUM NITRIDE