机构

• 半导体研究所 [2]

采集方式

• iSwitch采集 [1]
• OAI收割 [1]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2001 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Effect of in situ thermal treatment during growth on crystal quality of gan epilayer grown on sapphire substrate by movpe 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 110-117 作者:  Xu, HZ;  Takahashi, K;  Wang, CX;  Wang, ZG;  Okada, Y 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Gallium nitride  Metalorganic vapor-phase epitaxy (movpe) annealing  Crystal quality   Effect of in situ thermal treatment during growth on crystal quality of GaN epilayer grown on sapphire substrate by MOVPE 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 222, 期号: 1-2, 页码: 110-117 Xu HZ; Takahashi K; Wang CX; Wang ZG; Okada Y; Kawabe M; Harrison I; Foxon CT 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2010/08/12 gallium nitride  metalorganic vapor-phase epitaxy (MOVPE) annealing  crystal quality  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  BUFFER LAYER  PHASE EPITAXY  DEPENDENCE  DEFECTS