机构

• 金属研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]
• 上海技术物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2019 [1]
• 2007 [1]
• 2006 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 The Novel of n-p-n Type Transition in the ZnSe/Ge Heterojunction Nanowire: First Principles Study 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF NANOSCIENCE AND NANOTECHNOLOGY, 2019, 卷号: 19, 期号: 9, 页码: 5847-5853 作者:  Huang Jiujun;  Xing Huaizhong;  Huang Yan(第三作者);  Wang Chunrui;  Chen Xiaoshuang   |  收藏  |  浏览/下载：321/0  |  提交时间：2019/11/13 n-p Type Transition  ZnSe/Ge Nanowire  Electronic  Structure Property   Photoluminescence study of Ge nanocrystals irradiated by reactor neutron flux 期刊论文  OAI收割 Nuclear Instruments & Methods in Physics Research Section B-Beam Interactions with Materials and Atoms, 2007, 卷号: 264, 期号: 2, 页码: 272-276 S. B. Dun; T. C. Lu; Q. Hu; Y. W. Hu; C. F. You; S. B. Zhang; B. Tang; J. L. Dai; N. K. Huang 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2012/04/13 Ge nanocrystals  neutron transmutation doping  photoluminescence  Raman  scattering  doped si nanocrystals  electron-spin-resonance  semiconductor  nanocrystals  n-type  implanted sio2-films  silicon nanocrystals  porous  silicon  raman  luminescence  temperature   Growth and properties of magnetron cosputtering grown Mn(x)Ge(1-x)on Si(001) 期刊论文  OAI收割 solid state communications, 2006, 卷号: 137, 期号: 3, 页码: 126-128 作者:  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：102/0  |  提交时间：2010/04/11 magnetron sputtering  MnxGe1-x  ferromagnetism  N-TYPE GE  FERROMAGNETISM  SEMICONDUCTOR  SPINTRONICS