机构

• 物理研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]
• 西安光学精密机械研究... [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2006 [1]
• 2005 [1]
• 2003 [1]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A new method to grow high quality GaN film by MOCVD 期刊论文  OAI收割 acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 3606-3610 作者:  Peng Dong-Sheng;  Feng Yu-Chun;  Wang Wen-Xin;  Liu Xiao-Feng;  Shi Wei 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2015/08/18 surface treated  MOCVD  lateral epitaxial overgrown(LEO)  GaN film   Residual stress in the GaN epitaxial film prepared by in situ SiNx deposition 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2005, 卷号: 54, 期号: 11, 页码: 5450 Qin, Q; Yu, NS; Guo, LW; Wang, Y; Zhu, XL; Chen, H; Zhou, JM 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2013/09/24 PHONON DEFORMATION POTENTIALS  LIGHT-EMITTING-DIODES  OPTICAL-PROPERTIES  PLANE SAPPHIRE  OVERGROWN GAN  ALPHA-GAN  LAYERS  SUBSTRATE  ALN   Selective area growth of GaN on GaAs(001) substrates by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 252, 期号: 1-3, 页码: 9-13 Shen XM; Feng G; Zhang BS; Duan LH; Wang YT; Yang H 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 scanning electron microscopy  X-ray diffraction  Metalorganic vapor phase epitaxy  selective area growth  gallium nitride  CUBIC GAN  OVERGROWN GAN  DEPOSITION  GAAS(100)