机构

• 上海微系统与信息技术... [2]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2002 [1]
• 2000 [1]
• 1999 [1]

学科主题

• Crystallog... [2]
• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序 Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate 期刊论文  OAI收割 science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260 作者:  Zhang SM;  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：111/5  |  提交时间：2010/08/12 wafer bonding  cubic  GaN/GaAs(001)  Si-substrate  LIGHT-EMITTING-DIODES  P-TYPE GAN  RESISTANCE  CONTACT  LASER   Quantitative study of carbon doping of GaAs grown by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 43-49 Gong, YN; Mo, JJ; Yu, HS; Wang, L; Xia, GQ 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2012/03/24 P-TYPE GAAS  DOPED GAAS  DEPOSITION  CCL4  TETRACHLORIDE  MOVPE  MOCVD   Characterization of carbon-doped GaAs grown by metalorganic vapor-phase epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1999, 卷号: 206, 期号: 4, 页码: 271-278 Gong, YN; Mo, JJ; Yu, HS; Wang, L; Xia, GQ 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2012/03/25 MOLECULAR-BEAM EPITAXY  P-TYPE GAAS  LATTICE CONTRACTION  HOLE CONCENTRATION  DEPOSITION  ALGAAS  HETEROSTRUCTURES  PASSIVATION  ALXGA1-XAS  RELAXATION