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机构
半导体研究所 [1]
上海硅酸盐研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2018 [1]
2008 [1]
学科主题
Materials ... [1]
Physics, A... [1]
半导体器件 [1]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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Epitaxial integration of 0.7Pb(Mg1/3Nb2/3)O-3-0.3PbTiO(3) (111) thin films on GaN (0002) with La0.5Sr0.5CoO3/TiO2 buffer layers
期刊论文
OAI收割
MATERIALS LETTERS, 2018, 卷号: 216, 页码: 224, 227
作者:
Li, Guanjie
;
Li, Xiaomin
;
Bi, Zhijie
;
Chen, Yongbo
;
Xu, Xiaoke
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提交时间:2018/12/28
Ferroelectrics
Thin films
Epitaxial growth
PMN-PT
GaN
Physical vapour deposition
Hydrogen sensors based on AlGaN/AIN/GaN Schottky diodes
期刊论文
OAI收割
chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 266-269
Wang, XH
;
Wang, XL
;
Feng, C
;
Xiao, HL
;
Yang, CB
;
Wang, JX
;
Wang, BZ
;
Ran, JX
;
Wang, CM
收藏
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提交时间:2010/03/08
GAS SENSORS
HEMT STRUCTURES
MOBILITY
TRANSISTORS
TEMPERATURE
SURFACES
PT/GAN
GROWTH
PD/GAN
MOCVD