机构

• 半导体研究所 [3]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• iSwitch采集 [2]
• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2016 [1]
• 2011 [1]
• 1999 [2]

学科主题

• 半导体材料 [2]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Controllable growth of ultrathin bifeo3 from finger-like nanostripes to atomically flat films 期刊论文  iSwitch采集 Nanotechnology, 2016, 卷号: 27, 期号: 35 作者:  Feng,Yu;  Wang,Can;  Tian,Shilu;  Zhou,Yong;  Ge,Chen 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2019/05/09 Multiferroic bifeo3  Finger-like nanostripes  Atomically flat ultrathin films  Surface morphology  Domain configuration  Ferroelectricity  Patterned nanostructures   Ordered InAs nanodots formed on the patterned GaAs substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113 Jin, L; Zhou, HY; Qu, SC; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：105/0  |  提交时间：2012/02/06 Patterned substrate  Ion implantation  Ordered nanodots  Anodic aluminum oxide  QUANTUM DOTS  ISLANDS  GROWTH  SEMICONDUCTORS  NANOSTRUCTURES  COMPUTATION  INGAAS   Self-limiting MBE growth and characterization of three-dimensionally confined nanostructures on patterned GaAs(311)A substrates 期刊论文  OAI收割 journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-5 Niu ZC; Notzel R; Jahn U; Schonherr HP; Fricke J; Ploog KH 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 high-index substrates  molecular beam epitaxy (MBE)  patterned growth  three-dimensionally confined nanostructures  SIDEWALL QUANTUM WIRES  GAAS  PHOTOLUMINESCENCE  DOTS  MOLECULAR-BEAM EPITAXY   Self-limiting mbe growth and characterization of three-dimensionally confined nanostructures on patterned gaas(311)a substrates 期刊论文  iSwitch采集 Journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 1-5 作者:  Niu, ZC;  Notzel, R;  Jahn, U;  Schonherr, HP;  Fricke, J 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/05/12 High-index substrates  Molecular beam epitaxy (mbe)  Patterned growth  Three-dimensionally confined nanostructures