机构

• 金属研究所 [2]
• 半导体研究所 [2]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2010 [1]
• 2009 [1]
• 2002 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Low temperature annealing effects on the structure and optical properties of ZnO films grown by pulsed laser deposition 期刊论文  OAI收割 vacuum, VACUUM, 2010, 2010, 卷号: 84, 84, 期号: 11, 页码: 1280-1286, 1280-1286 作者:  Zhu BL (Zhu B. L.);  Zhao XZ (Zhao X. Z.);  Su FH (Su F. H.);  Li GH (Li G. H.);  Wu XG (Wu X. G.)   |  收藏  |  浏览/下载：99/2  |  提交时间：2010/07/05 ZnO  Zno  Pulsed Laser Deposition (Pld)  Annealing Treatment  Photoluminescence (Pl)  Oxide Thin-films  Substrate-temperature  Oxygen-pressure  Electrical-properties  Pld Technique  Al Films  Emission  Pulsed laser deposition (PLD)  Annealing treatment  Photoluminescence (PL)  OXIDE THIN-FILMS  SUBSTRATE-TEMPERATURE  OXYGEN-PRESSURE  ELECTRICAL-PROPERTIES  PLD TECHNIQUE  AL FILMS  EMISSION   Improvement in crystal quality of ZnO film on Si substrate by using a homo-buffer layer 期刊论文  OAI收割 materials science in semiconductor processing, 2009, 卷号: 12, 期号: 6, 页码: 233-237 作者:  Zhao J 收藏  |  浏览/下载：48/4  |  提交时间：2011/07/05 ZnO  Pulsed laser deposition  X-ray diffraction  Photoluminescence  Reflection high-energy electron diffraction  PULSED-LASER DEPOSITION  THIN-FILMS  PLD TECHNIQUE  GROWTH  SAPPHIRE  TEMPERATURE   Preparation and structure of nano-crystalline WO3(Si) thin films by pulsed excimer laser deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2002, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 139-144 作者:  Fang, GJ;  Liu, ZL;  Yao, KL   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/02/02 WO3 thin films  nano-crystalline  PLD technique  structural analyses  preparation  conditions  Si (111)   Preparation and structure of nano-crystalline WO3(Si) thin films by pulsed excimer laser deposition 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2002, 卷号: 17, 期号: 1, 页码: 139-144 作者:  Fang, GJ;  Liu, ZL;  Yao, KL   |  收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2021/02/02 WO3 thin films  nano-crystalline  PLD technique  structural analyses  preparation  conditions  Si (111)