机构

• 宁波材料技术与工程研... [3]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2020 [1]
• 2019 [2]

学科主题

• Chemistry [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A comprehensive investigation of MoO3 based resistive random access memory 期刊论文  OAI收割 RSC ADVANCES, 2020, 卷号: 10, 期号: 33, 页码: 19337-19345 作者:  Fatheema, Jameela;  Shahid, Tauseef;  Mohammad, Mohammad Ali;  Islam, Amjad;  Malik, Fouzia   |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2020/12/16 SWITCHING CHARACTERISTICS  NONVOLATILE MEMORY  LOW-POWER  PERFORMANCE  MECHANISMS  SUBSTRATE  DEVICES  RRAM   Memristive Synapses for Brain-Inspired Computing 期刊论文  OAI收割 ADVANCED MATERIALS TECHNOLOGIES, 2019, 卷号: 4, 期号: 3 作者:  Wang, Jingrui;  Zhuge, Fei   |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2019/12/18 RESISTIVE-SWITCHING MEMORY  MAGNETIC TUNNEL-JUNCTIONS  LONG-TERM POTENTIATION  PHASE-CHANGE MEMORY  RRAM DEVICES  SYNAPTIC PLASTICITY  CONDUCTANCE LINEARITY  ELECTRONIC SYNAPSES  IMPLEMENTATION  SYSTEM   Recommended Methods to Study Resistive Switching Devices 期刊论文  OAI收割 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 1 作者:  Lanza, Mario;  Wong, H-S Philip;  Pop, Eric;  Ielmini, Daniele;  Strukov, Dimitri   |  收藏  |  浏览/下载：109/0  |  提交时间：2019/12/18 HEXAGONAL BORON-NITRIDE  ALIGNED CARBON NANOTUBES  SPICE COMPACT MODEL  NONVOLATILE MEMORY  RRAM DEVICES  THIN-FILM  DIELECTRIC-BREAKDOWN  MEMRISTIVE BEHAVIOR  PHYSICAL MODEL  NANOSCALE