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采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2022 [1]
2018 [1]
2013 [2]
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共4条,第1-4条
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Understanding and modulation of resistive switching behaviors in PbZr0.52Ti0.48O3/La0.67Sr0.33MnO3/Nb:SrTiO3 multilayer junctions
期刊论文
OAI收割
APPLIED SURFACE SCIENCE, 2022, 卷号: 574, 页码: 11
作者:
Zheng, Hang Yu
;
Bai, Yu
;
Shao, Yan
;
Yu, Hai Yi
;
Chen, Bing
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提交时间:2022/07/01
Ferroelectric multilayer junction
Resistive switching
Ferroelectric field effect
Depletion layer width
Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device
期刊论文
OAI收割
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822
作者:
Chen, Y. R.
;
Li, Z. M.
;
Zhang, Z. W.
;
Hu, L. Q.
;
Jiang, H.
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2019/09/17
Data storage materials
Resistive switching
Metal-insulator-semiconductor
Annealing effect
Nonvolatile memory
nonvolatile memory
behaviors
mechanism
breakdown
layer
power
ti
Chemistry
Materials Science
Metallurgy & Metallurgical Engineering
Recent development of studies on the mechanism of resistive memories in several metal oxides
期刊论文
OAI收割
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2013, 卷号: 56, 期号: 12, 页码: 2361
Tian, XZ
;
Wang, LF
;
Li, XM
;
Wei, JK
;
Yang, SZ
;
Xu, Z
;
Wang, WL
;
Bai, XD
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提交时间:2014/01/16
resistive switching effect
valence change memory
electrode engineering
in-situ TEM
RESISTIVE SWITCHING PHENOMENA IN COMPLEX OXIDE HETEROSTRUCTURES
期刊论文
OAI收割
MODERN PHYSICS LETTERS B, 2013, 卷号: 27, 期号: 29
Jin, YL
;
Jin, KJ
;
Ge, C
;
Lu, HB
;
Yang, GZ
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提交时间:2014/01/16
Resistive switching effect
perovskite oxide
oxygen vacancies
ferroelectric diodes
self-consistent calculation