机构

• 物理研究所 [2]
• 上海应用物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2015 [1]
• 2004 [1]
• 2003 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Evolution of the SrTiO3-MoO3 Interface Electronic Structure: An in Situ Photoelectron Spectroscopy Study 期刊论文  OAI收割 ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES, 2015, 卷号: 7, 期号: 21, 页码: 11309—11314 作者:  Du, YM;  Peng, HY;  Mao, HY;  Jin, KX;  Wang, H 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2015/12/09 SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS  TRANSITION-METAL OXIDES  THIN-FILMS  MOLYBDENUM TRIOXIDE  SURFACE  LAYER  RESISTANCE  GAS  MEMORY  STATES   Ce/GaN(0001) interfacial formation and electronic properties 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 95, 期号: 3, 页码: 943 Xiao, WD; Guo, QL; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2013/09/17 METAL-SEMICONDUCTOR INTERFACE  WURTZITE GAN SURFACES  SCHOTTKY CONTACTS  BARRIER HEIGHTS  GROWTH  FILMS  GAN(0001)-(1X1)  SI(111)  STATES  CE   Gd on GaN(0001) surface: Growth, interaction, and Fermi level movement 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2003, 卷号: 94, 期号: 8, 页码: 4847 Xiao, WD; Guo, QL; Xue, QK; Wang, EG 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2013/09/17 WURTZITE GAN SURFACES  ELECTRONIC-PROPERTIES  SCHOTTKY CONTACTS  BARRIER HEIGHTS  INTERFACE  FILMS  OXYGEN  STATES