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机构
微电子研究所 [2]
上海微系统与信息技术... [1]
采集方式
OAI收割 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2012 [1]
2008 [1]
2004 [1]
学科主题
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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基于SCR的SOI ESD保护器件研究
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2012, 期号: 1, 页码: 17-22
夏超
;
王中健
;
何大伟
;
徐大伟
;
张有为
;
程新红
;
俞跃辉
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提交时间:2013/02/22
SOI ESD
SCR
Sentaurus
保护器件
源漏硅化物扩散层分离技术对SOINMOS抗ESD的影响
期刊论文
OAI收割
功能材料与器件学报, 2008, 卷号: 14, 期号: 6, 页码: 6,1007-1012
作者:
韩郑生
;
宋文斌
;
许高博
;
曾传滨
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提交时间:2010/05/27
绝缘体上硅soi
Esd
源漏硅化物
二次击穿
导通电阻
栅接地nmos器件
CMOS/SOI 64-kB SR AM抗ESD实验
期刊论文
OAI收割
微电子学, 2004, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 636-639
作者:
海潮和
;
汤仙明
;
韩郑生
;
周小茵
;
赵立新
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提交时间:2010/05/26
Soi
Esd
栅控二极管
Sram