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机构
半导体研究所 [2]
采集方式
iSwitch采集 [1]
OAI收割 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2008 [2]
学科主题
光电子学 [1]
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浏览/检索结果:
共2条,第1-2条
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Temperature sensitivity dependence on cavity length in p-type doped and undoped 1.3-mu m inas-gaas quantum-dot lasers
期刊论文
iSwitch采集
Ieee photonics technology letters, 2008, 卷号: 20, 期号: 21-24, 页码: 1860-1862
作者:
Cao, Yulian
;
Yang, Tao
;
Ji, Haiming
;
Ma, Wenquan
;
Cao, Qing
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Characteristics temperature
P-doped
Quantum-dot (qd) laser
Saturation modal gain
Temperature Sensitivity Dependence on Cavity Length in p-Type Doped and Undoped 1.3-mu m InAs-GaAs Quantum-Dot Lasers
期刊论文
OAI收割
ieee photonics technology letters, 2008, 卷号: 20, 期号: 21-24, 页码: 1860-1862
作者:
Yang T
;
Cao YL
;
Ma WQ
收藏
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浏览/下载:245/72
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提交时间:2010/03/08
Characteristics temperature
p-doped
quantum-dot (QD) laser
saturation modal gain