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浏览/检索结果: 共17条，第1-10条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Schottky Barrier Control of Self-Polarization for a Colossal Ferroelectric Resistive Switching 期刊论文  OAI收割 ACS NANO, 2023, 卷号: 17, 期号: 13, 页码: 12347-12357 作者:  Huang, Biaohong;  Zhao, Xuefeng;  Li, Xiaoqi;  Li, Lingli;  Xie, Zhongshuai   |  收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2024/01/08 self-polarization  Schottky barrier  oxygenvacancy  BiFeO3  ferroelectric diode   Facile preparation of CuO nanoplate arrays film on Si substrate and their photoelectric characteristics 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2022, 卷号: 327, 页码: 4 作者:  Wei, Jiang;  Du, Bangdeng;  Wang, Jiawei;  Liu, Qi;  Lu, Lei   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2023/05/09 Thin films  Sensors  CuO  Schottky diode  Photoreponse   Facile preparation of CuO nanoplate arrays film on Si substrate and their photoelectric characteristics 期刊论文  OAI收割 MATERIALS LETTERS, 2022, 卷号: 327, 页码: 4 作者:  Wei, Jiang;  Du, Bangdeng;  Wang, Jiawei;  Liu, Qi;  Lu, Lei   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2023/05/09 Thin films  Sensors  CuO  Schottky diode  Photoreponse   Single-Dislocation Schottky Diodes 期刊论文  OAI收割 NANO LETTERS, 2021, 卷号: 21, 期号: 13, 页码: 5586-5592 作者:  Tao, Ang;  Yao, Tingting;  Jiang, Yixiao;  Yang, Lixin;  Yan, Xuexi   |  收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2021/10/15 dislocation  Schottky diode  conductive atomic force microscopy  transmission electron microscopy  first-principles calculations   Down-converters with doped solid solution crystals GaSe1-xSx for THz spectrometry 会议论文  OAI收割 作者:  Huang ZM;  Huang JG;  Gao YQ;  Yang QJ;  Andreev YM   |  收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/11/20 nonlinear crystal  doped gallium selenide  DFG  Schottky diode  THz spectrometer  remote sensing  standoff detection   Electrical characterization of Cu Schottky contacts to n-type GaAsN grown on (311)A/B GaAs substrates 期刊论文  OAI收割 Journal of Alloys and Compounds, 2016, 卷号: 657, 页码: 325-329 作者:  Dong C(董琛);  Han XX(韩修训);  Gao, Xin;  Yoshio Ohshita;  Masafumi Yamaguchi 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2015/12/30 GaAsN  Schottky diode  Growth orientation  I-V characteristics  C-V characteristics  Electrical properties   gamma-ray detector based on n-type 4H-SiC Schottky barrier diode 期刊论文  OAI收割 ACTA PHYSICA SINICA, 2016, 卷号: 65, 期号: 20 作者:  Du YY(杜园园);  Zhang CL(张春雷);  Cao XL(曹学蕾);  Du, YY;  Zhang, CL   |  收藏  |  浏览/下载：132/0  |  提交时间：2017/07/26 4H-SiC  wide-band semiconductor  Schottky diode  gamma-ray detector   Graphene-GaN Schottky diodes 期刊论文  OAI收割 NANO RESEARCH, 2015, 卷号: 8, 期号: 4, 页码: 1327-1338 作者:  Kim Seongjun;  Seo Tae Hoon;  Kim Myung Jong;  Song Keun Man;  Suh EunKyung   |  收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/12/13 LIGHT-EMITTING-DIODES  N-TYPE GAN  THERMIONIC-FIELD-EMISSION  SENSITIZED SOLAR-CELLS  CONTACT RESISTANCE  BARRIER HEIGHT  ELECTRICAL CHARACTERISTICS  TRANSPARENT ELECTRODES  RAMAN-SPECTROSCOPY  METAL CONTACTS  graphene  GaN  Schottky diode  Schottky barrier height  Fermi level pinning   Preparation of One-dimensional Axial Organic-inorganic Heterojunction and Its Schottky Behavior 期刊论文  OAI收割 ACTA CHIMICA SINICA, 2012, 卷号: 70, 期号: 22, 页码: 2337-2341 作者:  Zhang Weigang;  Zhang Dezhong;  Fu Hongbing   |  收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2019/04/09 Silver  Organic/inorganic Hybrid  Schottky Diode  Poly(3  4-ethylenedioxythiophene)   Transient voltage-current characteristics: New insights into plasma electrolytic oxidation process of aluminium alloy 期刊论文  OAI收割 INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTROCHEMICAL SCIENCE, 2012, 卷号: 7, 期号: 8, 页码: 7619-7630 作者:  Duan HP(段红平);  Li YC;  Xia Y(夏原);  Chen SH(陈少华);  Duan, HP 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2013/01/18 Plasma electrolytic oxidation  Aluminium  Transient V-I characteristics  Semiconducting properties  Schottky Barrier Diode  Semiconductor Properties  Valve Metals  Coatings  Films  Electrodes  Growth  Az91D