机构

• 半导体研究所 [2]
• 金属研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2001 [3]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Growth of sige heterojunction bipolar transistor using si2h6 gas and ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY;  Sun, DZ 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2019/05/12 Molecular beam epitaxy  Semiconducting gegermanium  Semiconducting silicon  Bipolar transistors  Heterojunction semiconductor devices   Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493 作者:  Gao, F;  Huang, DD;  Li, JP;  Kong, MY;  Sun, DZ   |  收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2021/02/02 molecular beam epitaxy  semiconducting gegermanium  semiconducting silicon  bipolar transistors  heterojunction semiconductor devices   Growth of SiGe heterojunction bipolar transistor using Si2H6 gas and Ge solid sources molecular beam epitaxy 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2001, 卷号: 223, 期号: 4, 页码: 489-493 Gao F; Huang DD; Li JP; Kong MY; Sun DZ; Li JM; Zeng YP; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：155/5  |  提交时间：2010/08/12 molecular beam epitaxy  semiconducting gegermanium  semiconducting silicon  bipolar transistors  heterojunction semiconductor devices  POWER