机构

• 半导体研究所 [2]
• 苏州纳米技术与纳米仿... [1]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2012 [1]
• 2002 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Contribution of GaN template to the unexpected Ga atoms incorporated into AlInN epilayers grown under an indium-very-rich condition by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) 期刊论文  OAI收割 Journal of Crystal Growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 25-30 作者:  S.M. Zhang(张书明);  Y.M. Fan(范亚明);  B.S. Zhang(张宝顺);  H. Yang(杨辉) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2013/01/22 Diffusion  Metalorganic chemical vapor deposition  Nitrides  Semiconducting quaternary alloys   Quasi-thermo dynamic analysis of movpe growth of gaxalyin1-x-yn 期刊论文  iSwitch采集 Journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152 作者:  Lu, DC;  Duan, SK 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Computer simulation  Molecular vapor phase epitaxy  Nitrides  Semiconducting quaternary alloys   Quasi-thermo dynamic analysis of MOVPE growth of GaxAlyIn1-x-yN 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2002, 卷号: 234, 期号: 1, 页码: 145-152 Lu DC; Duan SK 收藏  |  浏览/下载：111/7  |  提交时间：2010/08/12 computer simulation  molecular vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting quaternary alloys  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  QUATERNARY ALLOYS  PHASE EPITAXY  GAN  ALINGAN