机构

• 新疆理化技术研究所 [3]
• 深海科学与工程研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 学位论文 [2]
• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2023 [1]
• 2021 [1]
• 2020 [2]

学科主题

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 A SiC asymmetric cell trench MOSFET with a split gate and integrated p(+)-poly Si/SiC heterojunction freewheeling diode 期刊论文  OAI收割 CHINESE PHYSICS B, CHINESE PHYSICS B, 2023, 2023, 卷号: 32, 32, 期号: 5, 页码: 8, 8 作者:  Jiang, Kaizhe;  Zhang, Xiaodong;  Tian, Chuan;  Zhang, Shengrong;  Zheng, Liqiang   |  收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2023/10/07 split gate (SG)  split gate (SG)  heterojunction freewheeling diode (HJD)  SiC asymmetric cell trench MOSFET  turn-on loss  turn-off loss  heterojunction freewheeling diode (HJD)  SiC asymmetric cell trench MOSFET  turn-on loss  turn-off loss   碳化硅功率MOSFET的工作状态对电离辐射损伤特性的影响研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2021 作者:  杨圣   |  收藏  |  浏览/下载：97/0  |  提交时间：2021/08/27 SiC功率MOSFET  电离总剂量效应  高功率  开关频率  长期可靠性   空间辐射环境下 SiC MOSFET 的栅氧可靠性研究 学位论文  OAI收割 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2020 作者:  梁晓雯   |  收藏  |  浏览/下载：63/0  |  提交时间：2020/11/19 SiC MOSFET  栅氧可靠性  总剂量效应  单粒子效应  潜损伤  安全工作区   Study of the influence of gamma irradiation on long-term reliability of SiC MOSFET 期刊论文  OAI收割 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 559-566 作者:  Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ];  Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ];  Yu, XF (Yu, Xuefeng)[ 1,2 ]   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2020/12/11 SiC MOSFET  total ionizing dose irradiation  time-dependent dielectric breakdown