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上海微系统与信息技术... [1]
深海科学与工程研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2023 [1]
2010 [1]
学科主题
Engineerin... [1]
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共2条,第1-2条
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A SiC asymmetric cell trench MOSFET with a split gate and integrated p(+)-poly Si/SiC heterojunction freewheeling diode
期刊论文
OAI收割
CHINESE PHYSICS B, 2023, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 8
作者:
Jiang, Kaizhe
;
Zhang, Xiaodong
;
Tian, Chuan
;
Zhang, Shengrong
;
Zheng, Liqiang
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提交时间:2023/10/07
split gate (SG)
heterojunction freewheeling diode (HJD)
SiC asymmetric cell trench MOSFET
turn-on loss
turn-off loss
Enhance the split-gate flash cell performance by partially decoupling the SG oxide thickness from the tunnel oxide thickness
期刊论文
OAI收割
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2010, 卷号: 54, 期号: 5, 页码: 579-581
Dong, YQ
;
Kong, WR
;
Do, N
;
Wang, SL
;
Lee, G
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提交时间:2012/03/24
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