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新疆理化技术研究所 [1]
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半导体研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [4]
内容类型
会议论文 [2]
期刊论文 [2]
发表日期
2020 [1]
2017 [1]
2008 [1]
2007 [1]
学科主题
人工智能 [1]
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共4条,第1-4条
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偏置条件对国产SiGe BiCMOS器件总电离辐射效应的影响
期刊论文
OAI收割
辐射研究与辐射工艺学报, 2020, 卷号: 38, 期号: 5, 页码: 64-70
作者:
王利斌
;
王信
;
吴雪
;
李小龙
;
刘默寒
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提交时间:2020/11/03
SiGe BiCMOS
偏置条件
电离总剂量
氧化物陷阱电荷
界面态
Inductorless SiGe BiCMOS optical receiver frond end for 25 Gb/s optical links
会议论文
OAI收割
成都, October 21-22, 2016
作者:
Jingqiu Wang
;
Fujiang Lin
;
Liang Chen
;
Qiwei Song
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提交时间:2017/09/30
Sige Bicmos
Optical Receiver
Inductorless
Zero-pole Canceling
Negative Miller Capacitance
基于0.35μm SiGe BiCMOS的高纯度频率综合器
期刊论文
OAI收割
半导体学报, 2008, 卷号: 29, 期号: 4, 页码: 5,655-659
作者:
张健
;
李志强
;
陈立强
;
陈普峰
;
张海英
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提交时间:2010/05/27
Sige
Bicmos
锁相环
高纯度
环路带宽
A wide-band front-end for terrestrial and cable receptions
会议论文
OAI收割
topical meeting on silicon monolithic integrated circuits in rf systems, long beach, ca, jan 10-12, 2007
Gu, M (Gu, Ming)
;
Ma, DS (Ma, Desheng)
;
Mao, W (Mao, Wei)
;
Yan, J (Yan, Jun)
;
Shi, Y (Shi, Yin)
;
Dai, FF (Dai, Fa Foster)
收藏
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浏览/下载:110/12
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提交时间:2010/03/29
BiCMOS
linearity
low noise amplifier
mixer
noise figure
SiGe
VCO
wide band