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半导体研究所 [2]
金属研究所 [1]
采集方式
OAI收割 [2]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2009 [3]
学科主题
半导体物理 [1]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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Growth and characterization of algan/gan heterostructure using unintentionally doped aln/gan superlattices as barrier layer
期刊论文
iSwitch采集
Superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59
作者:
Zhang, M. L.
;
Wang, X. L.
;
Xiao, H. L.
;
Wang, C. M.
;
Yang, C. B.
收藏
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提交时间:2019/05/12
Algan/gan heterostructure
Superlattices (sls)
Root mean square roughness (rms)
Sheet resistance
Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructure using unintentionally doped AlN/GaN superlattices as barrier layer
期刊论文
OAI收割
SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59
作者:
Zhang, M. L.
;
Wang, X. L.
;
Xiao, H. L.
;
Wang, C. M.
;
Yang, C. B.
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提交时间:2021/02/02
AlGaN/GaN heterostructure
Superlattices (SLs)
Root mean square roughness (RMS)
Sheet resistance
Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructure using unintentionally doped AlN/GaN superlattices as barrier layer
期刊论文
OAI收割
superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 45, 期号: 2, 页码: 54-59
作者:
Zhang ML
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提交时间:2010/03/08
AlGaN/GaN heterostructure
Superlattices (SLs)
Root mean square roughness (RMS)
Sheet resistance