机构

• 半导体研究所 [2]
• 物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2010 [1]
• 1998 [2]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体物理 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effect of surface treatment of GaN based light emitting diode wafers on the leakage current of light emitting diode devices 期刊论文  OAI收割 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 1, 页码: art. no. 017307 作者:  Zhang SM;  Wang LJ;  Wang YT;  Yang H;  Wang LJ 收藏  |  浏览/下载：212/3  |  提交时间：2010/04/05 GaN  light emitting diode  surface treatment  leakage current  THREADING DISLOCATION DENSITIES  LAYERS  NI/AU  LEDS   Transmission electron microscopy study of triple-ribbon contrast features in a ZnTe epitaxial layer 期刊论文  OAI收割 PHILOSOPHICAL MAGAZINE LETTERS, 1998, 卷号: 78, 期号: 3, 页码: 203 Han, PD 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/09/23 THREADING DISLOCATION DENSITIES  II-VI COMPOUNDS  MISFIT DISLOCATIONS  SEMICONDUCTORS  ORIGIN  FILMS   Transmission electron microscopy study of triple-ribbon contrast features in a ZnTe epitaxial layer 期刊论文  OAI收割 philosophical magazine letters, 1998, 卷号: 78, 期号: 3, 页码: 203-211 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/08/12 THREADING DISLOCATION DENSITIES  II-VI COMPOUNDS  MISFIT DISLOCATIONS  SEMICONDUCTORS  ORIGIN  FILMS