机构

• 物理研究所 [1]
• 半导体研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [2]

内容类型

• 期刊论文 [2]

发表日期

• 2003 [2]

学科主题

• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序 Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404 Wang, YG; Li, W; Han, PD; Zhang, Z 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2013/09/23 LIGHT-EMITTING-DIODES  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  THREADING EDGE DISLOCATION  VAPOR-PHASE EPITAXY  N-TYPE GAN  GALLIUM NITRIDE  GROWTH STOICHIOMETRY  SCATTERING  DEFECTS  LUMINESCENCE   Void formation and failure in InGaN/AlGaN double heterostructures 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 253, 期号: 1-4, 页码: 404-412 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：225/2  |  提交时间：2010/08/12 defects  metalorganic vapor phase epitaxy  nitrides  semiconducting III-V materials  light emitting diodes  LIGHT-EMITTING-DIODES  MULTIPLE-QUANTUM WELLS  THREADING EDGE DISLOCATION  VAPOR-PHASE EPITAXY  N-TYPE GAN  GALLIUM NITRIDE  GROWTH STOICHIOMETRY  SCATTERING  DEFECTS  LUMINESCENCE