机构

• 上海微系统与信息技术... [2]
• 近代物理研究所 [1]

采集方式

• OAI收割 [3]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2004 [2]
• 2001 [1]

学科主题

• Materials ... [1]
• Physics, A... [1]

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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Effects of buried oxide layer on indium diffusion in separation by implantation of oxygen 期刊论文  OAI收割 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 96, 期号: 6, 页码: 3217-3220 Chen, P; Zhu, M; Fu, RKY; Chu, PK; An, ZH; Liu, W; Montgomery, N; Biswas, S 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2012/03/24 TRANSIENT ENHANCED DIFFUSION  ON-INSULATOR FILMS  SILICON  SIO2  PERFORMANCE  CHANNEL  PROFILE  DEFECTS  SIMOX   Implant damage and redistribution of indium in indium-implanted thin silicon-on-insulator 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING B-SOLID STATE MATERIALS FOR ADVANCED TECHNOLOGY, 2004, 卷号: 114, 页码: 251-254 Chen, P; An, ZH; Zhu, M; Fu, RKY; Chu, PK; Montgomery, N; Biswas, S 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2012/03/24 TRANSIENT ENHANCED DIFFUSION  BURIED SIO2   Effects of ion irradiation on the diffusion of pre-implanted B atoms in crystalline silicon 期刊论文  OAI收割 HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2001, 卷号: 25, 期号: 1, 页码: 1238-1244 作者:  Sealy, BJ;  Liu, CL;  Nejim, A;  Gwilliam, RM   |  收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/10/29 implantation  transient enhanced diffusion  secondary ion mass spectrometer  crystalline silicon