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机构
半导体研究所 [3]
采集方式
OAI收割 [2]
iSwitch采集 [1]
内容类型
期刊论文 [2]
会议论文 [1]
发表日期
2000 [3]
学科主题
半导体材料 [2]
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浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
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The fabrication of thick sio2 layer by anodization
期刊论文
iSwitch采集
Optical materials, 2000, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 271-275
作者:
Ou, HY
;
Yang, QQ
;
Lei, HB
;
Wang, QM
;
Hu, XW
收藏
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提交时间:2019/05/12
Thick sio2 layer
Porous silicon
Sio2/si waveguide device
The fabrication of thick SiO2 layer by anodization
会议论文
OAI收割
international-union-of-materials-research-societies international conference on advanced materials (iumrs-icam 99), beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
Ou HY
;
Yang QQ
;
Lei HB
;
Wang QM
;
Hu XW
收藏
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浏览/下载:27/0
  |  
提交时间:2010/11/15
thick SiO2 layer
porous silicon
SiO2/Si waveguide device
WAVE-GUIDES
SILICON
The fabrication of thick SiO2 layer by anodization
期刊论文
OAI收割
optical materials, 2000, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 271-275
Ou HY
;
Yang QQ
;
Lei HB
;
Wang QM
;
Hu XW
收藏
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提交时间:2010/08/12
thick SiO2 layer
porous silicon
SiO2/Si waveguide device
WAVE-GUIDES
SILICON