机构

• 力学研究所 [2]
• 计算技术研究所 [1]
• 数学与系统科学研究院 [1]

采集方式

• OAI收割 [4]

内容类型

• 期刊论文 [4]

发表日期

• 2019 [2]
• 2018 [1]
• 2016 [1]

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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序 Study on copper protrusion of through-silicon via in a 3-D integrated circuit 期刊论文  OAI收割 MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING A-STRUCTURAL MATERIALS PROPERTIES MICROSTRUCTURE AND PROCESSING, 2019, 卷号: 755, 页码: 66-74 作者:  Song M;  Wei ZQ;  Wang BY;  Chen L;  Chen L   |  收藏  |  浏览/下载：69/0  |  提交时间：2019/11/27 Through-silicon via  Cu protrusion  Annealing temperature  Electron backscatter diffraction  Finite element analysis   An Improved Domain Decomposition Method for Drop Impact Reliability Analysis of 3-D ICs 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON COMPONENTS PACKAGING AND MANUFACTURING TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 8, 期号: 10, 页码: 1788-1799 作者:  Zhou, Hao;  Zhu, Hengliang;  Cui, Tao;  Pan, David Z.;  Zhou, Dian   |  收藏  |  浏览/下载：64/0  |  提交时间：2018/11/16 Domain decomposition (DD)  drop test  reliability  through-silicon via (TSV)   PSI Conscious Write Scheduling: Architectural Support for Reliable Power Delivery in 3-D Die-Stacked PCM 期刊论文  OAI收割 IEEE TRANSACTIONS ON VERY LARGE SCALE INTEGRATION (VLSI) SYSTEMS, 2016, 卷号: 24, 期号: 5, 页码: 1613-1625 作者:  Wang, Ying;  Han, Yinhe;  Li, Huawei;  Zhang, Lei;  Cheng, Yuanqing   |  收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/12/13 3-D integration  IR-drop  phase-change memory (PCM)  through-silicon-via (TSV)  write throughput