机构

• 半导体研究所 [3]

采集方式

• OAI收割 [2]
• iSwitch采集 [1]

内容类型

• 期刊论文 [3]

发表日期

• 2007 [3]

学科主题

• 光电子学 [1]
• 半导体材料 [1]

筛选

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 条数/页： 5101520253035404550556065707580859095100 排序方式： 请选择题名升序题名降序提交时间升序提交时间降序作者升序作者降序发表日期升序发表日期降序 Preferential orientation growth of ain thin films on si (111) substrates by lp-mocvd 期刊论文  iSwitch采集 Modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 22, 页码: 1437-1445 作者:  Zhao, Yongmei;  Sun, Guosheng;  Liu, Xingfang;  Li, Jiaye;  Zhao, Wanshun 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2019/05/12 Aluminum nitride  Low pressure metalorganic chemical vapor deposition (lp-mocvd)  V/iii ratio  Preferential orientation growth mechanism   Preferential orientation growth of AIN thin films on Si (111) substrates by LP-MOCVD 期刊论文  OAI收割 modern physics letters b, 2007, 卷号: 21, 期号: 22, 页码: 1437-1445 Zhao, YM; Sun, GS; Liu, XF; Li, JY; Zhao, WS; Wang, L; Luo, MC; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2010/03/08 aluminum nitride  low pressure metalorganic chemical vapor deposition (LP-MOCVD)  V/III ratio  preferential orientation growth mechanism   The influence of V/III ratio in the initial growth stage on the properties of GaN epilayer deposited on low temperature AlN buffer layer 期刊论文  OAI收割 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 303, 期号: 2, 页码: 414-418 作者:  Zhang SM;  Yang H;  Zhu JJ;  Jiang DS;  Yang H 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/03/29 V/III ratio